第一章　氮化鎵相關(guān)概述
1.1　氮化鎵基本介紹
1.1.1　氮化鎵基本概念
1.1.2　氮化鎵形成階段
1.1.3　氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
1.1.4　氮化鎵半導(dǎo)體作用
1.2　氮化鎵材料的特性
1.2.1　結(jié)構(gòu)特性
1.2.2　化學(xué)特性
1.2.3　光學(xué)特性
1.2.4　電學(xué)性質(zhì)
1.2.5　磁學(xué)特性
1.3　氮化鎵的制備方法
1.3.1　金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)
1.3.2　分子束外延（MBE）技術(shù)
1.3.3　氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)
1.3.4　懸空外延技術(shù)（Pendeo-epitaxy）
第二章　2022-2024年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1　半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1　第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2　第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3　第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4　半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2　2022-2024年全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1　市場(chǎng)規(guī)模分析
2.2.2　市場(chǎng)態(tài)勢(shì)分析
2.2.3　區(qū)域分布狀況
2.2.4　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.2.5　產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移
2.3　2022-2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
2.3.1　行業(yè)發(fā)展特性
2.3.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
2.3.3　企業(yè)注冊(cè)數(shù)量
2.3.4　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)
2.3.5　應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.6　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
2.4　半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對(duì)策
2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2　產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3　供應(yīng)鏈不完善
2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
2.5　半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1　市場(chǎng)結(jié)構(gòu)性機(jī)會(huì)
2.5.2　行業(yè)發(fā)展前景
2.5.3　行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
2.5.4　新型材料展望
第三章　2022-2024年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3　產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4　國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)展
3.2　2022-2024年氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1　氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展變局
3.2.2　氮化鎵市場(chǎng)產(chǎn)值規(guī)模
3.2.3　氮化鎵應(yīng)用狀況分析
3.2.4　氮化鎵應(yīng)用技術(shù)突破
3.2.5　氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
3.3　氮化鎵技術(shù)專利申請(qǐng)狀況
3.3.1　中國(guó)氮化鎵專利申請(qǐng)狀況
3.3.2　中國(guó)氮化鎵專利技術(shù)構(gòu)成
3.3.3　中國(guó)氮化鎵專利申請(qǐng)人分析
3.3.4　中國(guó)氮化鎵專利發(fā)明人分析
3.3.5　中國(guó)氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新熱點(diǎn)
第四章　2022-2024年氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情況分析
4.1　2022-2024年全球氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析
4.1.1　全球氮化鎵市場(chǎng)區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)
4.1.2　全球氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.1.3　全球氮化鎵企業(yè)市場(chǎng)份額
4.1.4　全球氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5　全球氮化鎵企業(yè)投資并購(gòu)
4.1.6　全球氮化鎵中國(guó)企業(yè)布局
4.2　2022-2024年中國(guó)氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析
4.2.1　國(guó)內(nèi)氮化鎵競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)
4.2.2　國(guó)內(nèi)氮化鎵集中度
4.2.3　國(guó)內(nèi)氮化鎵企業(yè)研發(fā)及創(chuàng)新
4.2.4　國(guó)內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3　氮化鎵快充市場(chǎng)主要廠商及制造工廠
4.3.1　氮化鎵快充市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.2　主要廠商及其合作伙伴
4.3.3　氮化鎵快充制造工廠
4.3.4　未來技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析
4.4　GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1　GaN電力電子器件
4.4.2　GaN光電子器件
第五章　2022-2024年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
5.1　發(fā)光二極管（LED）
5.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3　發(fā)光二極管（LED）模塊進(jìn)出口數(shù)據(jù)
5.1.4　氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5　氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
5.2　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）
5.2.1　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
5.2.3　GaN　FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
5.2.4　GaN　FET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展
5.3　激光二極管（LD）
5.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2　激光二極管（LD）背景技術(shù)
5.3.3　激光器進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
5.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5　GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
5.3.6　GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
5.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4　二極管（Diodes）
5.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2　二極管進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
5.4.3　氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
5.5　射頻器件（RF）
5.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2　GaN射頻器件市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
5.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4　GaN射頻器件主要需求領(lǐng)域
5.6　太陽能電池（Solar　Cells）
5.6.1　中國(guó)太陽能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
5.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
第六章　2022-2024年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.1　氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.1.1　電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2　GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
6.1.3　GaN電力電子器件分布情況
6.1.4　GaN基電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)
6.1.5　氮化鎵應(yīng)用機(jī)會(huì)及趨勢(shì)
6.2　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.2.1　氮化鎵在新能源行業(yè)的優(yōu)勢(shì)
6.2.2　氮化鎵在新能源行業(yè)應(yīng)用潛力
6.2.3　氮化鎵在新能源的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)
6.2.4　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
6.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.3.1　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用領(lǐng)域
6.3.2　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
6.3.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中未來發(fā)展方向
6.3.4　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)
6.4　氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.4.1　氮化鎵在通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析
6.4.2　氮化鎵在通訊設(shè)備市場(chǎng)技術(shù)問題
6.4.3　氮化鎵在通訊設(shè)備市場(chǎng)應(yīng)用前景
6.5　氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
6.5.1　GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
6.5.2　GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.3　GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.4　GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
6.5.5　GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
第七章　2022-2024年國(guó)際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
7.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
7.1.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
7.2　科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.2.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
7.3　亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices, Inc.）
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.3.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
7.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.4.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
7.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
7.5.3　企業(yè)布局狀況
7.5.4　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
第八章　2021-2024年中國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
8.1　蘇州納維科技有限公司
8.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2　企業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)
8.1.3　企業(yè)項(xiàng)目動(dòng)態(tài)
8.2　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
8.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2　企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3　企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
8.3　東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
8.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2　企業(yè)核心技術(shù)
8.3.3　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
8.3.4　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4　三安光電股份有限公司
8.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
8.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
8.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
8.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
8.6　四川海特高新技術(shù)股份有限公司
8.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2　企業(yè)的行業(yè)地位
8.6.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.6.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.6.5　財(cái)務(wù)狀況分析
8.6.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
第九章　2024-2028年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)
9.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1　產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
9.1.2　企業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài)
9.1.3　投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
9.1.4　市場(chǎng)進(jìn)入壁壘
9.2　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2　市場(chǎng)應(yīng)用潛力
9.2.3　市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
9.3　中投顧問對(duì)2024-2028年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
9.3.1　中投顧問對(duì)氮化鎵發(fā)展驅(qū)動(dòng)五力模型分析
9.3.2　中投顧問對(duì)2024-2028年中國(guó)GaN產(chǎn)能規(guī)模預(yù)測(cè)

圖表1　半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表2　硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3　半導(dǎo)體材料性能比較
圖表4　砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表5　纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
圖表6　三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7　半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
圖表8　2013-2022年全球半導(dǎo)體材料規(guī)模區(qū)域分布
圖表9　2012-2023年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模
圖表10　2015-2023年中國(guó)半導(dǎo)體材料相關(guān)企業(yè)注冊(cè)數(shù)量
圖表11　半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測(cè)環(huán)節(jié)
圖表12　GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表13　GaN外延用不同襯底的對(duì)比
圖表14　GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)
圖表15　GaN器件發(fā)展史
圖表16　各國(guó)第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策
圖表17　各國(guó)對(duì)于第三代半導(dǎo)體廠商相關(guān)補(bǔ)貼
圖表18　2020-2023年中國(guó)GaN產(chǎn)能
圖表19　氮化鎵（GaN）應(yīng)用狀況
圖表20　2015-2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�申�?qǐng)及授權(quán)量
圖表21　2015-2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�趨�?shì)
圖表22　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�類�?br /> 圖表23　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明專利審查時(shí)長(zhǎng)
圖表24　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�法律狀態(tài)
圖表25　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�法律事�?br /> 圖表26　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�申�?qǐng)中國(guó)省市分布
圖表27　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域主要技術(shù)分支的專利分布
圖表28　2015-2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)分支申請(qǐng)趨勢(shì)
圖表29　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域重要技術(shù)分支主要申請(qǐng)人分布
圖表30　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)功效矩陣
圖表31　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�申�?qǐng)人排名
圖表32　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�集中�?br /> 圖表33　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域新入局者披露
圖表34　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域合作申請(qǐng)分析
圖表35　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域主要申請(qǐng)人技術(shù)分析
圖表36　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域主要申請(qǐng)人申請(qǐng)趨勢(shì)
圖表37　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明人排名
圖表38　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明人申請(qǐng)趨勢(shì)
圖表39　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域發(fā)明人團(tuán)隊(duì)分析
圖表40　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新熱點(diǎn)
圖表41　截至2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�量較多的技術(shù)
圖表42　圖表　2020-2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域旭日?qǐng)D
圖表43　2020-2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域熱門主題不同層級(jí)的專利申請(qǐng)分布情況
圖表44　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈境內(nèi)外主要廠商
圖表45　主流USB PD快充充電器代工廠匯總（一）
圖表46　主流USB PD快充充電器代工廠匯總（二）
圖表47　主流USB PD快充充電器代工廠匯總（三）
圖表48　主流USB PD快充充電器代工廠匯總（四）
圖表49　主流USB PD快充充電器代工廠匯總（五）
圖表50　LED的生產(chǎn)流程
圖表51　LED器件按封裝形式分類
圖表52　LED器件按應(yīng)用領(lǐng)域分類
圖表53　2011-2022年中國(guó)LED行業(yè)整體市場(chǎng)規(guī)模
圖表54　2023年中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)園區(qū)分布情況
圖表55　2022-2024年中國(guó)發(fā)光二極管（LED）模塊進(jìn)出口總額
圖表56　GaN FET SOA曲線示例
圖表57　電感硬開關(guān)測(cè)試電路
圖表58　Transphorm汽車級(jí)GaN FET產(chǎn)品示意圖
圖表59　2019-2024年中國(guó)激光器進(jìn)出口總量
圖表60　2019-2024年中國(guó)激光器進(jìn)出口總額
圖表61　GaN材料體系（GaN、InGaN和AlGaN）將半導(dǎo)體激光器波長(zhǎng)擴(kuò)展到可見光和紫外波段
圖表62　具有Pd/Pt/Au的傳統(tǒng)GaN基激光器結(jié)構(gòu)示意圖或具有ITO限制層的GaN基激光器結(jié)構(gòu)示意圖
圖表63�。╝）氮化鎵/藍(lán)寶石模板和（b）GaN自支撐襯底的位錯(cuò)缺陷對(duì)比（圖中暗斑為位錯(cuò)缺陷）
圖表64　（a）由于外延結(jié)構(gòu)各層生長(zhǎng)條件差異大導(dǎo)致藍(lán)光激光器結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)暗斑缺陷；（b）優(yōu)化生長(zhǎng)條件消除暗斑缺陷的激光器外延片
圖表65　以ITO代替部分p-AlGaN光限制層的復(fù)合激光器結(jié)構(gòu)示意圖
圖表66　InGaN多量子阱激光器結(jié)構(gòu)
圖表67　InGaN多量子阱脊型激光器結(jié)構(gòu)
圖表68　藍(lán)激光在25℃下發(fā)射的連續(xù)激光光譜
圖表69　綠激光在閾值電流以下和以上的EL光譜
圖表70　二極管結(jié)構(gòu)圖
圖表71　二極管的圖形符號(hào)
圖表72　硅二極管典型伏安特性曲線
圖表73　二極管的好壞判斷
圖表74　2019-2024年中國(guó)二極管進(jìn)出口總量
圖表75　2019-2024年中國(guó)二極管進(jìn)出口總額
圖表76　2020年我國(guó)SiC、GaN電力電子器件下游應(yīng)用領(lǐng)域
圖表77　2020年我國(guó)GaN射頻器件下游應(yīng)用領(lǐng)域
圖表78　2024年中國(guó)太陽能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)
圖表79　2024年中國(guó)太陽能電池分產(chǎn)品出口額情況
圖表80　2024年中國(guó)太陽能電池分產(chǎn)品出口量情況
圖表81　2024年中國(guó)太陽能電池分產(chǎn)品進(jìn)口額情況
圖表82　2024年中國(guó)太陽能電池分產(chǎn)品進(jìn)口量情況
圖表83　2024年中國(guó)前十大太陽能電池出口目的地
圖表84　2024年中國(guó)前十大太陽能電池進(jìn)口來源地
圖表85　2024年中國(guó)太陽能電池產(chǎn)品分省出口情況
圖表86　2024年中國(guó)太陽能電池產(chǎn)品分省進(jìn)口情況
圖表87　InGaN材料帶隙對(duì)應(yīng)的AM1.5太陽光譜的覆蓋
圖表88　量子阱區(qū)域結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì)InGaN/GaN量子阱太陽能電池特性的影響
圖表89　光強(qiáng)和溫度對(duì)InGaN/GaN量子阱太陽電池性能的影響
圖表90　表面納米結(jié)構(gòu)InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表91　具有反射鏡結(jié)構(gòu)的InGaN/GaN量子阱太陽電池特性
圖表92　垂直InGaN/GaN量子阱太陽能電池結(jié)構(gòu)圖
圖表93　垂直結(jié)構(gòu)InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表94　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及電壓分布情況
圖表95　2023-2024財(cái)年MACOM綜合收益表
圖表96　2024-2025財(cái)年科沃綜合收益表
圖表97　2023-2024財(cái)年亞德諾綜合收益表
圖表98　2023-2024年恩智浦季度總營(yíng)收
圖表99　蘇州納維發(fā)展歷程
圖表100　能訊半導(dǎo)體國(guó)家級(jí)項(xiàng)目
圖表101　能訊半導(dǎo)體省級(jí)項(xiàng)目
圖表102　中鎵科技集團(tuán)組織架構(gòu)
圖表103　三安光電股份有限公司主要業(yè)務(wù)
圖表104　2021-2024年三安光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表105　2021-2024年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表106　2021-2024年三安光電股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表107　2024年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成
圖表108　2021-2024年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表109　2021-2024年三安光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表110　2021-2024年三安光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表111　2021-2024年三安光電股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表112　2021-2024年三安光電股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表113　2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表114　2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表115　2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表116　2024年杭州士蘭微電子股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、分產(chǎn)品、分地區(qū)情況
圖表117　2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表118　2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表119　2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表120　2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表121　2021-2024年杭州士蘭微電子股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表122　2021-2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表123　2021-2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表124　2021-2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表125　2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司營(yíng)業(yè)收入構(gòu)成
圖表126　2021-2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表127　2021-2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表128　2021-2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表129　2021-2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表130　2021-2024年四川海特高新技術(shù)股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表131　2023-2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模
圖表132　中投顧問對(duì)氮化鎵行業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)五力模型分析
圖表133　中投顧問對(duì)2024-2028年中國(guó)GaN產(chǎn)能規(guī)模預(yù)測(cè)