第一章　芯片技術(shù)相關(guān)概述
1.1　芯片技術(shù)概念闡釋
1.1.1　芯片技術(shù)概述
1.1.2　芯片架構(gòu)概述
1.2　芯片技術(shù)相關(guān)介紹
1.2.1　芯片技術(shù)特性
1.2.2　芯片技術(shù)壟斷
第二章　2022-2024年國(guó)內(nèi)外芯片技術(shù)發(fā)展綜況
2.1　全球芯片技術(shù)發(fā)展綜述
2.1.1　全球芯片技術(shù)前沿
2.1.2　全球技術(shù)創(chuàng)新趨勢(shì)
2.1.3　全球下一代芯片技術(shù)
2.2　中國(guó)芯片技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
2.2.1　芯片技術(shù)設(shè)備封鎖
2.2.2　芯片技術(shù)突破創(chuàng)新
2.2.3　芯片技術(shù)發(fā)展制約
2.3　芯片技術(shù)專利申請(qǐng)狀況
2.3.1　2023年芯片行業(yè)專利申請(qǐng)概況
2.3.2　2023年芯片行業(yè)專利技術(shù)構(gòu)成
2.3.3　2023年芯片行業(yè)專利申請(qǐng)人分析
2.3.4　2023年芯片行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新熱點(diǎn)
第三章　2022-2024年芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r分析
3.1　中國(guó)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展分析
3.1.1　技術(shù)基本流程
3.1.2　技術(shù)發(fā)展階段
3.1.3　技術(shù)發(fā)展意義
3.1.4　技術(shù)參與主體
3.1.5　技術(shù)壟斷優(yōu)勢(shì)
3.1.6　技術(shù)發(fā)展效益
3.2　芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展分析
3.2.1　技術(shù)設(shè)計(jì)原則
3.2.2　技術(shù)應(yīng)用分類
3.2.3　技術(shù)支持工具
3.2.4　技術(shù)發(fā)展階段
3.2.5　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
3.2.6　技術(shù)發(fā)展意義
3.3　芯片EDA技術(shù)發(fā)展分析
3.3.1　技術(shù)發(fā)展歷程
3.3.2　技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域
3.3.3　技術(shù)發(fā)展意義
3.3.4　技術(shù)發(fā)展特點(diǎn)
3.3.5　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
3.3.6　技術(shù)發(fā)展效益
第四章　2022-2024年芯片制造領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r分析
4.1　中國(guó)芯片制造領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展分析
4.1.1　技術(shù)發(fā)展歷程
4.1.2　技術(shù)發(fā)展規(guī)律
4.1.3　技術(shù)發(fā)展邏輯
4.1.4　技術(shù)發(fā)展綜況
4.1.5　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
4.1.6　技術(shù)發(fā)展阻礙
4.2　晶圓制備技術(shù)發(fā)展分析
4.2.1　技術(shù)發(fā)展歷程
4.2.2　技術(shù)發(fā)展階段
4.2.3　技術(shù)發(fā)展意義
4.2.4　技術(shù)發(fā)展綜況
4.2.5　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
4.2.6　技術(shù)發(fā)展效益
4.3　氧化技術(shù)發(fā)展分析
4.3.1　技術(shù)的發(fā)展分類
4.3.2　技術(shù)發(fā)展意義
4.3.3　技術(shù)發(fā)展綜況
4.3.4　技術(shù)應(yīng)用發(fā)展
4.4　光刻技術(shù)發(fā)展分析
4.4.1　技術(shù)發(fā)展歷程
4.4.2　技術(shù)發(fā)展階段
4.4.3　技術(shù)發(fā)展意義
4.4.4　技術(shù)發(fā)展綜況
4.4.5　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
4.4.6　技術(shù)發(fā)展效益
第五章　2022-2024年芯片封裝領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r分析
5.1　中國(guó)芯片封裝領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展分析
5.1.1　技術(shù)發(fā)展歷程
5.1.2　技術(shù)發(fā)展意義
5.1.3　技術(shù)發(fā)展綜況
5.1.4　技術(shù)等級(jí)劃分
5.1.5　技術(shù)功能作用
5.1.6　技術(shù)發(fā)展效益
5.2　先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展分析
5.2.1　技術(shù)發(fā)展歷程
5.2.2　技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)
5.2.3　技術(shù)發(fā)展類型
5.2.4　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
5.2.5　技術(shù)發(fā)展前沿
5.2.6　技術(shù)發(fā)展問(wèn)題
5.2.7　技術(shù)發(fā)展方向
5.3　傳統(tǒng)封裝技術(shù)發(fā)展分析
5.3.1　技術(shù)發(fā)展歷程
5.3.2　技術(shù)發(fā)展階段
5.3.3　技術(shù)發(fā)展比較
5.3.4　技術(shù)發(fā)展綜況
5.3.5　技術(shù)應(yīng)用方向
5.3.6　技術(shù)發(fā)展效益
第六章　2022-2024年芯片測(cè)試領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r分析
6.1　中國(guó)芯片測(cè)試領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展分析
6.1.1　技術(shù)發(fā)展綜況
6.1.2　技術(shù)階段分類
6.1.3　技術(shù)發(fā)展意義
6.1.4　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
6.1.5　技術(shù)發(fā)展阻礙
6.1.6　技術(shù)發(fā)展效益
6.2　測(cè)試機(jī)技術(shù)發(fā)展分析
6.2.1　技術(shù)發(fā)展歷程
6.2.2　技術(shù)發(fā)展階段
6.2.3　技術(shù)發(fā)展意義
6.2.4　技術(shù)發(fā)展綜況
6.2.5　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
6.2.6　技術(shù)發(fā)展效益
6.3　探針卡技術(shù)發(fā)展分析
6.3.1　技術(shù)發(fā)展綜況
6.3.2　技術(shù)發(fā)展階段
6.3.3　技術(shù)發(fā)展對(duì)比
6.3.4　技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
6.3.5　技術(shù)發(fā)展意義
6.3.6　技術(shù)發(fā)展效益
第七章　我國(guó)重點(diǎn)企業(yè)芯片技術(shù)戰(zhàn)略部署
7.1　紫光國(guó)芯微電子股份有限公司
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況分析
7.1.2　紫光國(guó)微技術(shù)發(fā)展歷程
7.1.3　紫光國(guó)微技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
7.1.4　紫光國(guó)微技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力
7.1.5　紫光國(guó)微技術(shù)研發(fā)進(jìn)程
7.1.6　紫光國(guó)微技術(shù)發(fā)展建議
7.1.7　紫光國(guó)微技術(shù)發(fā)展前景
7.2　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況分析
7.2.2　中芯國(guó)際技術(shù)發(fā)展歷程
7.2.3　中芯國(guó)際技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
7.2.4　中芯國(guó)際技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力
7.2.5　中芯國(guó)際技術(shù)研發(fā)進(jìn)程
7.2.6　中芯國(guó)際技術(shù)發(fā)展建議
7.2.7　中芯國(guó)際技術(shù)發(fā)展前景
7.3　華虹半導(dǎo)體有限公司
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況分析
7.3.2　華虹半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展歷程
7.3.3　華虹半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
7.3.4　華虹半導(dǎo)體技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力
7.3.5　華虹半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)進(jìn)程
7.3.6　華虹半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展建議
7.3.7　華虹半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展前景
7.4　江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況分析
7.4.2　長(zhǎng)電科技技術(shù)發(fā)展歷程
7.4.3　長(zhǎng)電科技技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
7.4.4　長(zhǎng)電科技技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力
7.4.5　長(zhǎng)電科技技術(shù)研發(fā)進(jìn)程
7.4.6　長(zhǎng)電科技技術(shù)發(fā)展建議
7.4.7　長(zhǎng)電科技技術(shù)發(fā)展前景
第八章　芯片技術(shù)發(fā)展前景趨勢(shì)預(yù)測(cè)
8.1　芯片分類別技術(shù)趨勢(shì)
8.1.1　芯片技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.1.2　邏輯技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.1.3　存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.1.4　集成技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.2　芯片分步驟技術(shù)趨勢(shì)
8.2.1　芯片設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.2.2　芯片制造技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.2.3　芯片封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
8.2.4　芯片測(cè)試技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

圖表　2014-2023年芯片行業(yè)專利申請(qǐng)量、授權(quán)量及對(duì)應(yīng)授權(quán)率數(shù)據(jù)表
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)專利申請(qǐng)量、授權(quán)量及對(duì)應(yīng)授權(quán)率走勢(shì)圖
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)專利類型占比
圖表　截至2023年芯片行業(yè)專利審查時(shí)長(zhǎng)
圖表　截至2023年芯片行業(yè)有效專利總量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)審中專利總量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)失效專利總量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域的專利在不同法律事件上的分布
圖表　芯片行業(yè)生命周期
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)專利申請(qǐng)量與專利申請(qǐng)人數(shù)量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)專利申請(qǐng)中國(guó)省市分布
圖表　截至2023年芯片行業(yè)專利申請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)各省市申請(qǐng)量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)主要技術(shù)分支的專利分布
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域在主要技術(shù)分支的專利申請(qǐng)變化情況
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域各技術(shù)分支內(nèi)領(lǐng)先申請(qǐng)人的分布情況
圖表　截至2023年芯片行業(yè)功效矩陣
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域申請(qǐng)人的專利量排名情況
圖表　芯片行業(yè)專利集中度
圖表　芯片行業(yè)領(lǐng)域在主要技術(shù)方向上的新入局者
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域合作申請(qǐng)分析
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域主要申請(qǐng)人技術(shù)分析
圖表　2014-2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域主要申請(qǐng)人逐年專利申請(qǐng)量
圖表　截至2023年芯片行業(yè)創(chuàng)新熱點(diǎn)
圖表　截至2023年芯片行業(yè)領(lǐng)域熱門技術(shù)專利量
圖表　芯片設(shè)計(jì)流程
圖表　現(xiàn)階段市場(chǎng)芯片架構(gòu)對(duì)比
圖表　芯片EDA技術(shù)發(fā)展歷程
圖表　EDA對(duì)集成電路設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)形成支撐
圖表　2000-2028年EDA技術(shù)可降低設(shè)計(jì)成本趨勢(shì)
圖表　全球主要晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)路線
圖表　8英寸和12英寸硅片發(fā)展歷史
圖表　襯底晶圓材料對(duì)應(yīng)尺寸
圖表　外延生長(zhǎng)對(duì)應(yīng)wafer尺寸
圖表　不同晶圓尺寸發(fā)展歷程
圖表　襯底制備的基本步驟
圖表　外延晶圓片結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　MBE與MOCVD技術(shù)對(duì)比
圖表　不同晶圓制造工藝示意圖
圖表　FinFET工藝七大玩家進(jìn)展
圖表　氧化的種類
圖表　自由基氧化的特點(diǎn)
圖表　密勒指數(shù)（Miller indices）描述的硅原子排列
圖表　氧化物在晶圓表面的保護(hù)作用
圖表　干法氧化和濕法氧化
圖表　晶圓表面圖示
圖表　擴(kuò)散遮蔽層
圖表　離子注入屏蔽氧化層
圖表　STI工藝中的襯墊氧化層和阻擋氧化層
圖表　光刻機(jī)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程
圖表　光刻機(jī)參數(shù)對(duì)比
圖表　光刻機(jī)工作原理
圖表　光刻步驟圖示
圖表　光刻的主要流程
圖表　封裝外型圖示
圖表　封裝方式發(fā)展歷程圖
圖表　封裝形式發(fā)展階段細(xì)分
圖表　BGA（ball grid array）封裝技術(shù)
圖表　COB（chip on board）封裝技術(shù)
圖表　DIP（dual in-line package）封裝技術(shù)
圖表　SDIP（shrink dual in-line package）封裝技術(shù)
圖表　flip-chip封裝技術(shù)
圖表　MCM（multi-chip module）封裝技術(shù)
圖表　QFP（quad flat package）封裝技術(shù)
圖表　BQFP（quad flat package with bumper）封裝技術(shù)
圖表　QFH（quad flat high package）封裝技術(shù)
圖表　CQFP（quad fiat package with guard ring）封裝技術(shù)
圖表　MQUAD（metal quad）封裝技術(shù)
圖表　Cerquad封裝技術(shù)
圖表　QFG（quad flat J-leaded package）封裝技術(shù)
圖表　QFN（quad flat non-leaded package）封裝技術(shù)
圖表　TCP（Tape Carrier Package）封裝技術(shù)
圖表　Tape Automated Bonding（TAB）封裝技術(shù)
圖表　PGA（pin grid array）封裝技術(shù)
圖表　LGA（land grid array）封裝技術(shù)
圖表　QUIP（quad in-line package）封裝技術(shù)
圖表　MFP（mini flat package）封裝技術(shù)
圖表　SIMM（single in-line memory module）封裝技術(shù)
圖表　DIMM（Dual Inline Memory Module）封裝技術(shù)
圖表　SIP（single in-line package）封裝技術(shù)
圖表　SMD（surface mount devices）封裝技術(shù)
圖表　SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）封裝技術(shù)
圖表　TO packageTO封裝技術(shù)
圖表　半導(dǎo)體芯片的封裝等級(jí)
圖表　半導(dǎo)體芯片封裝示例
圖表　半導(dǎo)體封裝的作用
圖表　先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)圖
圖表　Bumping工藝示意圖
圖表　重布線層技術(shù)示意圖
圖表　硅中介層技術(shù)示意圖
圖表　硅通孔技術(shù)示意圖
圖表　傳統(tǒng)封裝與晶圓級(jí)別封裝對(duì)比
圖表　3DIC與2.5D封裝對(duì)比
圖表　系統(tǒng)級(jí)封裝示意圖
圖表　Chiplet封裝示意圖
圖表　長(zhǎng)電科技封裝項(xiàng)目
圖表　華天科技封裝技術(shù)項(xiàng)目
圖表　富通微電封裝技術(shù)項(xiàng)目
圖表　Amkor封裝解決方案
圖表　芯片良率與芯片面積的關(guān)系
圖表　芯片成本隨工藝節(jié)點(diǎn)微縮遞增
圖表　典型芯粒產(chǎn)品
圖表　TSV基本結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)路線
圖表　賽靈思FPGA CoWoS封裝
圖表　CEA-Leti96核處理器集成技術(shù)
圖表　英特爾Foveros技術(shù)
圖表　片外存儲(chǔ)從并排布局轉(zhuǎn)為三維堆疊
圖表　HBM架構(gòu)和封裝集成示意圖
圖表　臺(tái)積電InFO SoW技術(shù)
圖表　英偉達(dá)A100芯片與特斯拉Dojo訓(xùn)練Tile主要性能指標(biāo)對(duì)比
圖表　英特爾EMIB互連技術(shù)
圖表　鍵合技術(shù)的演進(jìn)
圖表　AMD3D芯粒技術(shù)
圖表　臺(tái)積電SoIC-WoW混合鍵合技術(shù)
圖表　先進(jìn)封裝技術(shù)兩個(gè)發(fā)展方向
圖表　傳統(tǒng)封裝技術(shù)演變
圖表　傳統(tǒng)封裝技術(shù)簡(jiǎn)介
圖表　先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)封裝簡(jiǎn)單對(duì)比
圖表　引線框架封裝和基板封裝的組裝步驟
圖表　晶圓背面研磨工藝的四個(gè)步驟
圖表　通過(guò)刀片切割工藝將晶圓切割成芯片
圖表　芯片貼裝工藝
圖表　芯片互連步驟示意圖
圖表　回流焊工藝的溫度曲線
圖表　封裝技術(shù)的在不同硬件設(shè)備的應(yīng)用方向
圖表　IC測(cè)試基本原理模型
圖表　CP測(cè)試系統(tǒng)示意圖
圖表　測(cè)試機(jī)發(fā)展歷程
圖表　CP測(cè)試系統(tǒng)示意圖
圖表　測(cè)試機(jī)分類及介紹
圖表　光學(xué)檢測(cè)技術(shù)、電子束檢測(cè)技術(shù)和X光量測(cè)技術(shù)對(duì)比
圖表　三種檢測(cè)技術(shù)在檢測(cè)環(huán)節(jié)的具體應(yīng)用情況
圖表　四類量測(cè)環(huán)節(jié)在產(chǎn)業(yè)鏈中的應(yīng)
圖表　探針卡分類狀況
圖表　細(xì)分類型探針卡交貨期對(duì)比
圖表　圖探針卡結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　基于LTCC的MEMS探針卡的制作過(guò)程
圖表　通過(guò)Au/Sn共晶鍵合轉(zhuǎn)移到LTCC基板上的探針結(jié)構(gòu)
圖表　探針用陶瓷基板
圖表　圖晶圓測(cè)試示意圖
圖表　半導(dǎo)體晶圓測(cè)試的探針卡
圖表　紫光國(guó)微發(fā)展歷程
圖表　紫光國(guó)微產(chǎn)品矩陣
圖表　紫光國(guó)微技術(shù)發(fā)展歷程
圖表　紫光國(guó)微智能安全芯片主要產(chǎn)品
圖表　紫光國(guó)微特種集成電路產(chǎn)品系列
圖表　紫光國(guó)微FPGA產(chǎn)品系列
圖表　中芯國(guó)際業(yè)務(wù)圖
圖表　中芯國(guó)際發(fā)展歷程
圖表　全球主要晶圓廠制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)路線圖
圖表　中芯國(guó)際工藝平臺(tái)及下游應(yīng)用
圖表　中芯國(guó)際邏輯工藝技術(shù)平臺(tái)（成熟制程）
圖表　中芯國(guó)際特色工藝技術(shù)平臺(tái)
圖表　制程升級(jí)伴隨MOS結(jié)構(gòu)的升級(jí)
圖表　華虹半導(dǎo)體歷史沿革
圖表　華虹半導(dǎo)體工藝平臺(tái)
圖表　華虹半導(dǎo)體主要產(chǎn)品及服務(wù)變化情況
圖表　華虹半導(dǎo)體主要工藝平臺(tái)及具體情況
圖表　華虹半導(dǎo)體主要核心技術(shù)平臺(tái)情況
圖表　華虹半導(dǎo)體主要在研項(xiàng)目具體情況
圖表　長(zhǎng)電科技主要業(yè)務(wù)情況
圖表　長(zhǎng)電科技下游主要應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)
圖表　長(zhǎng)電科技全球戰(zhàn)略布局
圖表　長(zhǎng)電科技發(fā)展歷史
圖表　長(zhǎng)電科技Chiplet平臺(tái)及解決方案—XDFOITM
圖表　截至2022年中國(guó)大陸頭部封測(cè)公司主要封裝產(chǎn)品對(duì)比
圖表　長(zhǎng)電科技在各封裝領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
圖表　長(zhǎng)電科技封裝技術(shù)
圖表　長(zhǎng)電科技Chiplet技術(shù)路徑
圖表　先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝的技術(shù)迭代時(shí)間圖
圖表　后摩爾時(shí)代器件結(jié)構(gòu)演變
圖表　Fin FET與GAA NS器件結(jié)構(gòu)剖面示意圖
圖表　底層納米片串聯(lián)電阻示意圖
圖表　PTS和BDI防止底部寄生管漏電問(wèn)題示意圖
圖表　GAA NS器件與Forksheet器件的對(duì)比示意圖
圖表　GAA NS器件與Forksheet器件的N/P間距示意圖
圖表　CFET結(jié)構(gòu)示意圖
圖表　CFET中上下層器件金屬互連導(dǎo)致很大的通孔深寬比示意圖
圖表　單塊集成CFET的典型集成方法
圖表　順序集成CFET的典型方法
圖表　HBM示例圖
圖表　主流3D DRAM技術(shù)探索方向
圖表　PCH單元解決電阻漂移問(wèn)題
圖表　基于垂直架構(gòu)的三維相變存儲(chǔ)器架構(gòu)
圖表　鐵電存儲(chǔ)器三維架構(gòu)的兩種實(shí)現(xiàn)方式
圖表　垂直3D RRAM架構(gòu)
圖表　基于RRAM的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算技術(shù)示意圖
圖表　X-Cube示例圖
圖表　集成電路封裝產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
圖表　中國(guó)集成電路封裝產(chǎn)業(yè)前景預(yù)測(cè)